二手多晶硅长晶炉高淳整流柜物流/提货派送所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过0.6MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。一、主炉体构造1、基座与板板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管连接处有一个水冷却法兰区。2、主、下炉室主、下炉室为双层筒状结构，两端为法兰结构，通水冷却，并有隔水条保冷却均匀。主炉室设置了一个测温计窗口，用于测量加热器温度。下炉室有抽真空和真空计接口（0～100Torr和0～1Torr）。下炉室在正常操作过程中始终用压板固定在板上，通过氟橡胶O型圈实现真空密封。3、炉盖炉盖为炉体和隔离阀座了一个过渡区。炉盖采用标准炉盖，双层通水冷却。在炉盖上设有一个操作者观察窗口（类椭圆形）和一个直径控制窗口（圆形）。加热后工件随炉冷却 C． 井式炉 D． 罩式炉（主要用于退火，加热罩可吊移） E． 底升式罩式炉（罩子固定，升降底座。用作退火之用周期式电阻炉的分类A． 箱式炉 B． 台车炉（分为自行式和牵引式）适用于大型炉子）F． 转筒式炉 G． 密封箱式炉（又称为多用炉这样的结构使炉内气氛对加热元件不会有影响）。
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不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度温度分布合适的热场一定要根据生长设备利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。质量要求的好法。面向过程的软件FEMAG为用户了可以深入研究的数值工具，用户通过有效的计算机模拟可以设计和优化工作流程。一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体，后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。
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